Nanofotónica · Artículo 06

Plasmones 2D y grafeno

Cuando un plasmón vive en una sola capa atómica, la confinación es extrema, la dispersión cambia radicalmente, y aparece algo nuevo: sintonización eléctrica.

Todo lo que hemos visto hasta ahora — plasmones localizados, SPPs, efecto Purcell, arrays — se aplica a metales tridimensionales: oro, plata, aluminio. Pero la plasmónica no necesita un volumen de metal. Un gas de electrones 2D — electrones confinados a moverse en un plano — soporta plasmones con propiedades radicalmente distintas. Y el material que mejor realiza esa idea es el grafeno.

Plasmones en 3D vs. 2D

En un metal 3D (M03-01), la frecuencia del plasmón de volumen es:

ωp=ne2ε0m(constante, no depende de q)\omega_p = \sqrt{\frac{ne^2}{\varepsilon_0 m}} \qquad \text{(constante, no depende de }q\text{)}

El plasmón de volumen tiene una frecuencia fija, independiente del vector de onda qq. Los SPPs en una interfaz tienen una dispersión que se satura en ωp/2\omega_p/\sqrt{2}.

En 2D, la situación es completamente distinta. La relación de dispersión del plasmón 2D es:

ω2D(q)=n2De2q2ε0εˉm\omega_{2D}(q) = \sqrt{\frac{n_{2D}\,e^2\,q}{2\varepsilon_0\,\bar{\varepsilon}\,m^*}}

donde n2Dn_{2D} es la densidad de electrones por unidad de área, mm^* la masa efectiva, εˉ\bar{\varepsilon} la permitividad promedio del entorno, y qq el vector de onda del plasmón.

La diferencia clave: ωq\omega \propto \sqrt{q}. No hay frecuencia de corte inferior — el plasmón 2D existe a todas las frecuencias, con ω0\omega \to 0 cuando q0q \to 0. Y para cualquier frecuencia dada, el vector de onda qq del plasmón es mucho mayor que el del fotón (qfotoˊn=ω/cq_{\text{fotón}} = \omega/c). Eso significa una confinación extrema: λplasmonλfoton\lambda_{\text{plasmon}} \ll \lambda_{\text{foton}}.

Dispersión del plasmón 2D clásico

Para un gas 2D con conductividad de Drude σ(ω)=in2De2/(mω)\sigma(\omega) = i n_{2D} e^2 / (m^*\omega), la condición de existencia del plasmón es que el campo autosostenido satisfaga la ecuación de continuidad y las condiciones de contorno. El resultado es la relación de dispersión implícita:

1+iσ(ω)q2ε0εˉω=01 + \frac{i\sigma(\omega)\,q}{2\varepsilon_0\bar{\varepsilon}\,\omega} = 0

Sustituyendo σ\sigma:

1n2De2q2ε0εˉmω2=0ω2=n2De2q2ε0εˉm1 - \frac{n_{2D}\,e^2\,q}{2\varepsilon_0\bar{\varepsilon}\,m^*\,\omega^2} = 0 \quad \Rightarrow \quad \omega^2 = \frac{n_{2D}\,e^2\,q}{2\varepsilon_0\bar{\varepsilon}\,m^*}

La dependencia ωq\omega \propto \sqrt{q} es consecuencia directa de la naturaleza 2D: la interacción de Coulomb en 2D tiene una transformada de Fourier que escala como 1/q1/q (en vez de 1/q21/q^2 en 3D), y eso cambia la dispersión de ω=const.\omega = \text{const.} a ωq\omega \propto \sqrt{q}.

Grafeno: lo que cambia

El grafeno no es un gas 2D ordinario. Sus electrones tienen una dispersión lineal (E=vFkE = \hbar v_F |k|, con vF106v_F \approx 10^6 m/s) en lugar de la dispersión parabólica de un gas de electrones convencional. Son «fermiones de Dirac sin masa». Esto tiene consecuencias profundas para la conductividad óptica y, por tanto, para los plasmones.

La conductividad de grafeno en la aproximación intra-banda (válida para ω2EF\hbar\omega \ll 2E_F) es:

σ(ω)=ie2EFπ2(ω+iγ)\sigma(\omega) = \frac{ie^2 E_F}{\pi\hbar^2(\omega + i\gamma)}

donde EFE_F es la energía de Fermi y γ\gamma la tasa de amortiguamiento. Comparada con la conductividad de Drude 2D convencional (σ=in2De2/(mω)\sigma = in_{2D}e^2/(m^*\omega)), la diferencia es que en grafeno n2Dn_{2D} y mm^* se reemplazan por EFE_F — que es eléctricamente sintonizable.

La dispersión del plasmón en grafeno:

ω(q)=e2EFq2πε0εˉ2\omega(q) = \sqrt{\frac{e^2 E_F\,q}{2\pi\varepsilon_0\bar{\varepsilon}\,\hbar^2}}

Sigue siendo ωq\omega \propto \sqrt{q}, pero ahora también ωEF1/2n1/4\omega \propto E_F^{1/2} \propto n^{1/4}. La frecuencia del plasmón depende de la densidad de electrones — y esa densidad se controla con un voltaje.

Confinación extrema

¿Cuánto se confina el plasmón en grafeno? Comparemos la longitud de onda del plasmón con la del fotón a la misma frecuencia:

λplasmonλfoton=2π/qλ2αfsεˉωEF\frac{\lambda_{\text{plasmon}}}{\lambda_{\text{foton}}} = \frac{2\pi/q}{\lambda} \approx \frac{2\alpha_{\text{fs}}\,\bar{\varepsilon}\,\hbar\omega}{E_F}

donde αfs=e2/(4πε0c)1/137\alpha_{\text{fs}} = e^2/(4\pi\varepsilon_0\hbar c) \approx 1/137 es la constante de estructura fina. Para EF=0.4E_F = 0.4 eV y ω=0.1\hbar\omega = 0.1 eV (infrarrojo medio):

λplasmonλfoton2×(1/137)×0.10.41274\frac{\lambda_{\text{plasmon}}}{\lambda_{\text{foton}}} \approx \frac{2 \times (1/137) \times 0.1}{0.4} \approx \frac{1}{274}

La longitud de onda del plasmón es ~1/300 de la del fotón. Un fotón de infrarrojo medio (λ=12\lambda = 12 μ\mum) se comprime en un plasmón de ~40 nm. Eso es confinación a escalas 100 veces menores que lo que permiten los SPPs en metales nobles.

Explorar
Energía de Fermi E_F (eV) 0.40
Dispersión del plasmón en grafeno: ω ∝ √q vs. línea de luz
La curva del plasmón está muy por debajo de la línea de luz: confinación ~100× y sintonizable con E_F.

Sintonización eléctrica

La característica más disruptiva del grafeno para la nanofotónica: la energía de Fermi se controla aplicando un voltaje de puerta (VgV_g) a través de un dieléctrico.

Más voltaje → más electrones → mayor EFE_F → frecuencia del plasmón se desplaza al azul. La sintonización es continua, rápida (limitada por la constante RC del circuito, ~GHz) y reversible. No hay nada comparable en plasmónica de metales nobles: una nanopartícula de oro tiene su resonancia fijada por la geometría y el material. No se puede cambiar in situ.

En números: variando EFE_F de 0.2 a 0.6 eV (factible experimentalmente), la frecuencia del plasmón cambia por un factor 31.7\sqrt{3} \approx 1.7 — casi una octava en frecuencia.

Plasmones en nanoestructuras de grafeno

Igual que una nanopartícula metálica confina un SPP en un LSPR, una nanoestructura de grafeno confina el plasmón 2D:

Modos cuantizados en una nanocinta

Una nanocinta de ancho WW impone condiciones de contorno al plasmón 2D. En la aproximación más simple, los bordes actúan como paredes perfectas y el vector de onda transversal se cuantiza:

qn=nπW,n=1,2,3,q_n = \frac{n\pi}{W}, \quad n = 1, 2, 3, \ldots

Sustituyendo en la relación de dispersión del plasmón en grafeno:

ωn=e2EF2πε0εˉ2nπWnEFW\omega_n = \sqrt{\frac{e^2 E_F}{2\pi\varepsilon_0\bar{\varepsilon}\hbar^2}\cdot\frac{n\pi}{W}} \propto \sqrt{\frac{n\,E_F}{W}}

La frecuencia escala como 1/W1/\sqrt{W} — cintas más estrechas tienen resonancias a frecuencias más altas. Para W=100W = 100 nm y EF=0.4E_F = 0.4 eV, el modo fundamental (n=1n=1) cae en ~1500 cm1^{-1} (~6.7 μ\mum), en el infrarrojo medio.

Aplicaciones

3D vs. 2D: tabla comparativa

Las diferencias fundamentales entre plasmones en metales 3D (M03) y en grafeno:

Resumen del módulo y del Fotonario

Con este artículo cerramos el módulo de Nanofotónica avanzada y, con él, el Fotonario. El recorrido ha sido largo: desde los fundamentos de la óptica de Fourier y la respuesta electromagnética de la materia, pasando por guías de onda, láseres, plasmónica, óptica no lineal y fotónica integrada, hasta las herramientas teóricas avanzadas de la nanofotónica.

Los seis artículos de este módulo forman un arco: el dipolo como ladrillo fundamental (01), la modificación de su emisión por el entorno (02), la respuesta colectiva de arrays periódicos (03), la descomposición en eigenmodos universales (04), la hibridación de modos (05), y finalmente los plasmones en sistemas 2D (06). Cada pieza se construye sobre las anteriores y sobre los módulos previos del Fotonario.

Ejercicios

Ejercicio 1

Un plasmón en grafeno con EF=0.3E_F = 0.3 eV opera a ω=0.12\hbar\omega = 0.12 eV (infrarrojo medio, λ10.3\lambda \approx 10.3 μ\mum) en un medio con εˉ=2.5\bar{\varepsilon} = 2.5. Calcula la razón λplasmon/λfoton\lambda_{\text{plasmon}}/\lambda_{\text{foton}} y la longitud de onda del plasmón en nanómetros.

Solución
λpl/λ=2αεˉω/EF=2×(1/137)×2.5×0.12/0.3=2×0.0073×0.40.0058\lambda_{\text{pl}}/\lambda = 2\alpha\bar{\varepsilon}\hbar\omega/E_F = 2\times(1/137)\times 2.5\times 0.12/0.3 = 2\times 0.0073\times 0.4 \approx 0.0058. λpl=0.0058×1030060\lambda_{\text{pl}} = 0.0058 \times 10300 \approx 60 nm. Un fotón de 10 μ\mum se comprime en un plasmón de 60 nm — un factor ~170 de confinación. Esa es la ventaja del grafeno: confinación extrema en el infrarrojo, donde los metales nobles no tienen plasmones útiles.
Ejercicio 2

Si en el ejercicio anterior aumentas EFE_F de 0.3 a 0.6 eV aplicando un voltaje de puerta, ¿cómo cambia la frecuencia del plasmón al mismo qq? ¿Y el factor de confinación λpl/λ\lambda_{\text{pl}}/\lambda?

Solución
ωEF\omega \propto \sqrt{E_F}, así que ωnew/ωold=0.6/0.3=21.41\omega_{\text{new}}/\omega_{\text{old}} = \sqrt{0.6/0.3} = \sqrt{2} \approx 1.41. La frecuencia del plasmón aumenta un 41% (se desplaza al azul). El factor de confinación λpl/λω/EF\lambda_{\text{pl}}/\lambda \propto \hbar\omega/E_F: como ω\omega cambió pero qq es el mismo, λpl\lambda_{\text{pl}} no cambia, pero λfoton\lambda_{\text{foton}} disminuye (mayor frecuencia → menor λ\lambda). El factor λpl/λ\lambda_{\text{pl}}/\lambda aumenta a 0.0058×20.0082\approx 0.0058 \times \sqrt{2} \approx 0.0082. La confinación sigue siendo extrema (~1/120) pero algo menor que antes.
Ejercicio 3

Una nanocinta de grafeno de ancho W=80W = 80 nm con EF=0.4E_F = 0.4 eV tiene su modo fundamental a ~1600 cm1^{-1}. Si quieres desplazar ese modo a 1200 cm1^{-1} sin cambiar la geometría, ¿a qué valor de EFE_F debes ajustar el voltaje de puerta?

Solución
ωEF\omega \propto \sqrt{E_F} (a qq fijo, determinado por WW). Queremos ωnew/ωold=1200/1600=0.75\omega_{\text{new}}/\omega_{\text{old}} = 1200/1600 = 0.75. Entonces EFnew=EFold×0.752=0.4×0.5625=0.225E_F^{\text{new}} = E_F^{\text{old}} \times 0.75^2 = 0.4 \times 0.5625 = 0.225 eV. Hay que reducir EFE_F a ~0.23 eV, lo cual se logra disminuyendo el voltaje de puerta. Esto demuestra la ventaja del grafeno: sintonización in situ de la resonancia sin fabricar una nueva muestra.